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      漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      550

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      530

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      580

      最大（dà）漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

      8

      通（tōng）道极性：

      N沟道（dào）

      封装/温度(℃)：

      TO-252-2L/-55~125

      描述：

      550V,580mΩ,8A,N沟道（dào）基于超级结（jié）技术的功率MOSFET


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